LABORATÓRIUM IÓNOVÝCH TECHNOLÓGIÍ
Iónové technológie umožňujú syntézu nových materiálov, ktoré nie je možné vytvoriť klasickými metódami. Dopujúci prvok je do substrátu vnášaný bombardovaním iónovým zväzkom, čo umožňuje dosahovať koncentrácie vysoko nad tzv. limit rozpustnosti prvku v substráte. Interakcie iónov s látkou majú za následok modifikáciu štruktúry substrátu, miešanie rozhraní vrstiev (napr. za účelom lepšieho previazania) a ďalšie fascinujúce efekty. Naše vybavenie umožňuje pracovať prakticky so všetkými prvkami periodickej tabuľky v energetickom rozsahu od 40keV do 50MeV.
TECHNICKÉ PARAMETRE
Tandemový urýchľovač – 6MV Tandetron
Vybavený s experimentálnou koncovou stanicou pre iónovú implantáciu (veľkosť substrátov do ∅100 mm) s riadením teploty substrátu (od -195 °C do 800 °C) a koncovou stanicou pre analýzu pomocou iónového zväzku.
500kV Implanter
Vybavený experimentálnou koncovou stanicou pre iónovú implantáciu (veľkosť substrátov do ∅100 mm) s riadením teploty substrátu (od -195 °C do 800 °C) a polo-automatickou koncovou stanicou s manipulátorom pre implantáciu substrátov do ∅200 mm.
LABORATÓRIUM PLAZMOVÝCH TECHNOLÓGIÍ
Zamerané na: diagnostiku plazmy (charakteristika optických a elektrických vlastností), meranie parametrov plazmy (napr. elektrónová a iónová hustota), štúdium pohybu elektrónov a iónov v plazme, optickú emisnú spektroskopia iónov.
TECHNICKÉ PARAMETRE
Magnetrónové naprašovanie Cluster-System ST 75 DC/RF
Plazmový výkon 300 W, Výbojový prúd 1 A, Frekvencia 13,56 MHz, DC jednotka s 3 kruhovými terčami s ∅ 75mm a RF jednotkou s 3 kruhovými terčami s ∅75 mm. Substrát s maximálnym priemerom vzorky 100 mm a maximálnou výškou 10 mm. Ohrev vzorky maximálne 500°C a rotácioa sustrátu maximálne 20rpm.
PIII – Plazmou podporovaná iónová implantácia
Plazmový výkon 1 000 W, Frekvencia RF antény 13,56 MHz, Urýchlujúce napátie (napätie na vzorke) -20 / -35 kV s frekvenciou pulzu 1 – 100 µs. Substrát s vertikálnym posunom 30 cm a rotácioa sustrátu 0 – 30 rpm.
Elipsometer (M 2000)
Možnosť in-situ aj ex-situ merania, Meranie hrúbky vrstiev: od sup-nm do desiatok mikrometrov pre transparentné vrstvy, Širokospektrálne meranie, Vlnová dĺžka 245 – 1000 nm.
LABORATÓRIUM POČÍTAČOVÉHO MODELOVANIA
Oddelenie fyziky a chémie pod ktoré spadá Laboratórium počitačového modelovania využíva výpočtové zdroje HPC klastra Slovenskej technickej Univerzity a Slovenskej akadémie vied.
LABORATÓRIÁ PRE AUTOMATIZÁCIU
Oddelenie automatizácie, informatiky a aplikovanej matematiky využíva dostupné laboratória vybudované v rámci projektu Univerzitného vedeckého parku. Ide o Laboratórium riadiacich systémov, Laboratórium ICIM a Laboratórium integrácie informačných a riadiacich systémov.